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2SK3110-AZ

产品描述Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共8页
制造商NEC(日电)
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2SK3110-AZ概述

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

2SK3110-AZ规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)98 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)14 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)42 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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