Nch Single Power MOSFET 60V 70A 5.8mohm MP-45F/TO-220
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Renesas |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | TO-220 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 4 |
| 制造商包装代码 | PRSS0004AA-A4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 70 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 70 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0073 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e6 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 280 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN BISMUTH |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SK4144-AZ | 2SK4144(0)-S12-AZ | 2SK4144-S12-AZ | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Nch Single Power MOSFET 60V 70A 5.8mohm MP-45F/TO-220 | Nch Single Power MOSFET 60V 70A 5.8mohm MP-45F/TO-220 | 70A, 60V, 0.0073ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-220 | TO-220 | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | , | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 4 | 4 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli | compli |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| Brand Name | Renesas | Renesas | - |
| 制造商包装代码 | PRSS0004AA-A4 | PRSS0004AA-A4 | - |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED | - | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | - | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 70 A | - | 70 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 70 A | - | 70 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0073 Ω | - | 0.0073 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | - | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | - | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e6 | - | e6 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | - | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 35 W | - | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 280 A | - | 280 A |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | - | NO |
| 端子面层 | TIN BISMUTH | - | TIN BISMUTH |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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