Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | NEC(日电) |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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