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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB806KQ-T1

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2SB806KQ-T1: 产品描述Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小234KB，共4页; 制造商NEC(日电)

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2SB806KQ-T1概述

Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN

2SB806KQ-T1规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NEC(日电)
零件包装代码	SC-62
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.7 A
集电极-发射极最大电压	120 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	135
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	75 MHz
Base Number Matches	1

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