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BUZ11S2-E3044

产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小207KB,共8页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ11S2-E3044概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN

BUZ11S2-E3044规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
零件包装代码TO-220AB
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)14 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.04 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)250 pF
JESD-30 代码R-PSSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)270 ns
最大开启时间(吨)110 ns
Base Number Matches1
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