RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SUPERMINI-4
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NEC(日电) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC) | 0.03 A |
基于收集器的最大容量 | 0.6 pF |
集电极-发射极最大电压 | 3 V |
配置 | SINGLE |
最高频带 | L BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e6 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN BISMUTH |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 13000 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SC5185-T2FB-A | 2SC5185-T1FB-A | 2SC5185-T1FB | 2SC5185-T2FB | |
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描述 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SUPERMINI-4 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SUPERMINI-4 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | NEC(日电) | NEC(日电) | NEC(日电) | NEC(日电) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数 | 4 | 4 | 4 | 4 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC) | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A |
基于收集器的最大容量 | 0.6 pF | 0.6 pF | 0.6 pF | 0.6 pF |
集电极-发射极最大电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最高频带 | L BAND | L BAND | L BAND | L BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e6 | e6 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 | 4 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
端子面层 | TIN BISMUTH | TIN BISMUTH | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 13000 MHz | 13000 MHz | 13000 MHz | 13000 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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