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2SD2164-L-AZ

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, FULL PACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小128KB,共6页
制造商NEC(日电)
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2SD2164-L-AZ概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, FULL PACK-3

2SD2164-L-AZ规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)110 MHz
Base Number Matches1

2SD2164-L-AZ相似产品对比

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描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, FULL PACK-3
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 1000 500 800 1600 1600 800 1000
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 110 MHz 110 MHz 110 MHz 110 MHz 110 MHz 110 MHz 110 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
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