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2N4298

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小100KB,共1页
制造商General Diode Corp
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2N4298概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN

2N4298规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称General Diode Corp
零件包装代码TO-66
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压350 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-66
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1
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