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2N3251: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小715KB，共1页; 制造商Raytheon Company; 官网地址https://www.raytheon.com/

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN

	2N3251	2N3505
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	TO-18, 3 PIN	TO-18, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.2 A	0.6 A
集电极-发射极最大电压	40 V	60 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30	100
JEDEC-95代码	TO-18	TO-18
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	175 °C	175 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	1.2 W	0.4 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz	200 MHz
最大关闭时间（toff）	250 ns	100 ns
最大开启时间（吨）	70 ns	40 ns

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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