UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
最大漏极电流 (ID) | 49 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
934063255112 | 934063255118 | |
---|---|---|
描述 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V | 65 V |
最大漏极电流 (ID) | 49 A | 49 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F2 | R-CDFP-F2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK | FLATPACK |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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