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2SK2981: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小61KB，共8页; 制造商NEC(日电)

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2SK2981概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251

	2SK2981	2SK2981-Z
描述	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	20 A	20 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-251	TO-252
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1
端子数量	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	80 A	80 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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