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K7M321825M-HC850

产品描述ZBT SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
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文件大小314KB,共28页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7M321825M-HC850概述

ZBT SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

K7M321825M-HC850规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间8.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm
Base Number Matches1
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