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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> JAN1N6807UEG2
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JAN1N6807UEG2

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小84KB，共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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JAN1N6807UEG2概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN

JAN1N6807UEG2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-214BA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-214BA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/669
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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JAN1N6804UEG2 thru JAN1N6810UEG2
Patented*
Vishay Semiconductors
formerly
Reverse Voltage
50 to 1000V
Forward Current
1.0A
Glass Passivated Rectifiers
MIL
DO-214BA (UEG2)
I
TA
RY
Q
UA
LI
FI
ED
1.7
1.0
Mounting Pad Layout
4.8
3.95
®
0.066 MIN.
(1.68 MIN.)
.41
.15
3.3
2.3
0.094 MAX.
(2.38 MAX.)
3.5
2.35
0.052 MIN.
(1.32 MIN.)
0.220
(5.58) REF
1.60
0.75
0.005 (0.2 max)
5.85
4.95
3.3
2.0
Dimensions in millimeters
Glass-plastic encapsulation technique is covered by
Patent No. 3,996,602, brazen-lead assembly by Patent No. 3,930,306
and lead forming by Patent No. 5,151,846
Features
•
Qualified to MIL-PRF-19500/669
• Class 1 high temperature metallurgically bonded
construction brazed > 600°C
• Cavity-free, glass passivated junction. In epoxy over
hermetic glass.
• High temperature soldering guaranteed:
450°C/5 seconds at teminals
• Ideal for surface mount applications • Typical I
R
< 0.1µA
• Built-in strain relief • Easy pick and place
• Complete device submersible temperature of 265°C for
10 seconds in solder bath
Mechanical Data
Case:
DO-214BA, molded epoxy over glass body (UEG2)
Terminals:
Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:
0.0048oz, 0.120g
Flammability:
Epoxy is rated UL 94V-0.
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Prefix J = JAN Quality Level; Prefix JX = JANTX Quality Level
Parameter
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
L
= 125°C
Peak forward surge current 10 surges of 8.3ms each at
1 min. intervals (per MIL-STD-750 m 4066) super-imposed
on I
O
= 750mA DC; V
R
= rated V
RRM,
T
A
= 100°C
Typical thermal resistance
(1)
Operating junction and storage temperature range
Barometric Pressure
Symb.
J
J
J
J
J
J
J
Unit
1N6804 1N6805 1N6806 1N6807 1N6808 1N6809 1N6810
JA
JB
100
70
100
JC
200
140
200
JD
400
280
400
1.0
25
25
80
–55 to +175
8
33
JE
600
420
600
JF
800
560
800
JG
1000
700
1000
V
V
V
A
A
50
35
50
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJL
R
θJA
T
J
,T
STG
Hg
°C/W
°C
Note:
(1) Thermal resistance measured with devices P.C.B. mounted on 0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm) copper pad areas.
Document Number 88654
26-Mar-02
www.vishay.com
1

JAN1N6807UEG2相似产品对比

JAN1N6807UEG2 JAN1N6808UEG2 JAN1N6805UEG2 JAN1N6804UEG2 JAN1N6806UEG2 JAN1N6809UEG2 JAN1N6810UEG2
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, DO-214BA, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DO-214BA DO-214BA DO-214BA DO-214BA DO-214BA DO-214BA DO-214BA
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
针数 2 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JEDEC-95代码 DO-214BA DO-214BA DO-214BA DO-214BA DO-214BA DO-214BA DO-214BA
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/669 MIL-19500/669 MIL-19500/669 MIL-19500/669 MIL-19500/669 MIL-19500/669 MIL-19500/669
最大重复峰值反向电压 400 V 600 V 100 V 50 V 200 V 800 V 1000 V
最大反向恢复时间 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1

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