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IRFR3709ZCTRLPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小294KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRFR3709ZCTRLPBF概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IRFR3709ZCTRLPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)86 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)79 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

IRFR3709ZCTRLPBF相似产品对比

IRFR3709ZCTRLPBF IRFR3709ZCTRRPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 86 A 86 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 79 W 79 W
表面贴装 YES YES

 
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