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1N959B

产品描述8.2 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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1N959B概述

8.2 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N959B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID582142
Samacsys Pin Count2
Samacsys Part CategoryZener Diode
Samacsys Package CategoryOther
Samacsys Footprint NameDIO_1N959B
Samacsys Released Date2017-01-11 16:35:06
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗6.5 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压8.2 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
最大电压容差5%
工作测试电流15 mA
Base Number Matches1

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Zeners 1N957B - 1N991B
Zeners
1N957B - 1N991B
Absolute Maximum Ratings *
Symbol
P
D
Parameter
Power Dissipation
@ TL
75°C, Lead Length = 3/8”
Derate above 75°C
T
J
, T
STG
Operating and Storage Temperature Range
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Tolerance = 5%
Units
mW
mW/°C
°C
Value
500
4.0
-65 to +200
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
DO-35 Glass case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Electrical Characteristics
V
Z
(Volts)
Device
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
Min.
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.652
8.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
Typ.
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
T
A
=25°C unless otherwise noted
(Note 1)
Z
Z
(Ω)
@ I
Z
(mA)
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
Z
Z
@ I
Z
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
(Note 2)
I
R
@ V
R
mA
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
µA
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Volts
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
Max.
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
Z
ZK
@ I
ZK
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
I
ZM
(mA)
(Note 3)
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation
1N957B - 1N991B, Rev. E2
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