1300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
1300 mA, 20 V, P沟道, 硅, 小信号, 场效应管, TO-236
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | SOT-23 |
| 包装说明 | MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 318-08 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.3 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.22 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 235 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.4 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| NTR1P02LT3 | NTR1P02LT1_06 | |
|---|---|---|
| 描述 | 1300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 | 1300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 表面贴装 | YES | Yes |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | 双 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | 开关 |
| 晶体管元件材料 | SILICON | 硅 |
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