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ILD1214M60

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小311KB,共8页
制造商Integra Technologies Inc
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ILD1214M60概述

Transistor

ILD1214M60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Integra Technologies Inc
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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Part Number:
ILD1214M60 (Preliminary)
Integra
Silicon LDMOS FET
High Power Gain
Superior thermal stability
TECHNOLOGIES, INC.
60W L-Band Radar LDMOS
The high power transistor part number ILD1214M60 is designed for
the frequency band 1215-1400 MHz. Operating at 300us-10% pulse
conditions this LDMOS FET device supplies a minimum of 60 watts of
power across the instantaneous operating bandwidth of 1215-1400
MHz. All devices are 100% screened for large signal RF parameters.
Class AB Operation
Gate biased to I
DQ
= 550 mA
Configuration
Common Source
Gold Metal
Maximum Reliability
Package
Thermally enhanced
Pb-free and RoHS-compliant
PRELIMINARY DATA
300us-10% pulse
PRELIMINARY DATA
PRELIMINARY DATA
Epoxy Sealed Lid
Gross Leak Qualified
RF Test Fixture
Broadband
Matched to 50Ω
Long-term Correlation
100% Device RF Screening
No External Tuning required
I
DQ=550mA
V
G= 2.5V
h
d
(%)
52.1
46.3
46.3
Devices
Freq
(MHz)
1215
1300
1400
V
DD
(V)
30
30
30
P
IN
(W)
3
3
3
IRL
(dB)
25
17
15
P
OUT
(W)
78
68
66
Gain
(dB)
14.15
13.55
13.42
I
D
(A)
9.49
9.40
9.25
D3792-3
ILD1214M60 PRELIMINARY SPECIFICATION
FILE: ILD1214M60-REV-PR1-DS-REV-NC
Page 1 of 8
www.integratech.com
PHONE: 310-606-0855
FAX: 310-606-0865
INTEGRA TECHNOLOGIES, INC.
321 CORAL CIRCLE
EL SEGUNDO, CA 90245-4620
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