Memory Circuit, EPROM+SRAM, CMOS, CPGA66
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | APTA Group Inc |
包装说明 | PGA, PGA66,11X11 |
Reach Compliance Code | unknown |
JESD-30 代码 | S-XPGA-P66 |
JESD-609代码 | e0 |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
混合内存类型 | EPROM+SRAM |
端子数量 | 66 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | PGA |
封装等效代码 | PGA66,11X11 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流 | 0.015 A |
最大压摆率 | 0.15 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved