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100Q6P43

产品描述DIODE 3 PHASE, 100 A, 1200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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100Q6P43概述

DIODE 3 PHASE, 100 A, 1200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode

100Q6P43规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PUFM-X5
Reach Compliance Codeunknow
其他特性LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PUFM-X5
最大非重复峰值正向电流1100 A
元件数量6
相数3
端子数量5
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流100 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流5000 µA
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
Base Number Matches1

100Q6P43相似产品对比

100Q6P43 100G6P43
描述 DIODE 3 PHASE, 100 A, 1200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode DIODE 3 PHASE, 100 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode
包装说明 R-PUFM-X5 R-PUFM-X5
Reach Compliance Code unknow unknow
其他特性 LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 6 ELEMENTS BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X5 R-PUFM-X5
最大非重复峰值正向电流 1100 A 1100 A
元件数量 6 6
相数 3 3
端子数量 5 5
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 100 A 100 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V 400 V
最大反向电流 5000 µA 0.005 µA
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
Base Number Matches 1 1

 
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