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HLB121

产品描述NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共2页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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HLB121概述

NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

HLB121规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.3 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)8
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)10 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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UTC HLB121
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC HLB121 is a medium power transistor
designed for use in switching applications.
FEATURES
* High breakdown voltage
* Low collector saturation voltage
* Fast switching speed
1
TO-251
1: BASE
2: COLLECTOR
3: EMITTER
*Pb-free plating product number:HLB121L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Ta=25℃)
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current (DC)
Base Current (Pulse)
Total Power Dissipation (Tc=25℃)
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
STG
RATINGS
600
400
6
300
600
40
100
10
150
-40 ~ +150
UNIT
V
V
V
mA
mA
mA
mA
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25℃, unless otherwise specified.)
PARAMETER
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
SYMBOL
TEST CONDITIONS
BV
CBO
I
C
= 100µA
BV
CEO
I
C
= 10mA
BV
EBO
I
E
= 10µA
I
CBO
V
CB
= 550V
I
CEO
V
CB
= 400V
I
EBO
V
EB
= 6V
*V
CE (sat) 1
I
C
= 50mA, I
B
= 10mA
C-E Saturation Voltage
*V
CE (sat) 2
I
C
= 100mA, I
B
= 20mA
B-E Saturation Voltage
*V
BE (sat)
I
C
= 50mA, I
B
= 10mA
*h
FE1
V
CE
= 10V, I
C
= 10mA
DC Current Gain
*h
FE2
V
CE
= 10V, I
C
= 50mA
*Pulse Test : Pulse Width
380µs, Duty Cycle
2%
MIN
600
400
6
TYP
MAX
10
10
10
400
750
1
8
10
36
UNIT
V
V
V
µA
µA
µA
mV
mV
V
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
1
QW-R213-015,A
www.unisonic.com.tw
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