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2SD2114K_1

产品描述High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)
文件大小75KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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2SD2114K_1概述

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

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2SD2114K / 2SD2144S
Transistors
High-current Gain Medium
Power Transistor (20V, 0.5A)
2SD2114K / 2SD2144S
Features
1) High DC current gain.
h
FE
= 1200 (Typ.)
2) High emitter-base voltage.
V
EBO
=12V (Min.)
3) Low V
CE (sat).
V
CE (sat)
= 0.18V (Typ.)
(I
C
/ I
B
= 500mA / 20mA)
External dimensions
(Unit : mm)
2SD2114K
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
1.1
+0.2
−0.1
0.8±0.1
(3)
0.4
+0.1
−0.05
1.6
+0.2
−0.1
2.8±0.2
0∼0.1
All terminals have same dimensions
0.3∼0.6
+0.1
0.15
−0.06
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
Abbreviated symbol: BB
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
3
±
0.2
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
2SD2144S
4
±
0.2
2
±
0.2
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
2.5
+
0.4
0.1
5
0.5
0.45
+
0.15
0.05
(1) (2) (3)
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
Denotes h
FE
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power 2SD2114K
dissipation
2SD2144S
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Limits
25
20
12
0.5
1
0.2
0.3
150
−55
to
+150
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W
°C
°C
P
C
Tj
Tstg
Single pulse Pw=100ms
Rev.B
1/4

2SD2114K_1相似产品对比

2SD2114K_1 2SD2114K 2SD2144S
描述 High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)
是否Rohs认证 - 符合 符合
Reach Compliance Code - compli compli
最大集电极电流 (IC) - 0.5 A 0.5 A
配置 - Single SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 560 270
JESD-609代码 - e1 e1
极性/信道类型 - NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) - 0.2 W 0.3 W
表面贴装 - YES NO
端子面层 - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) TIN SILVER COPPER
Base Number Matches - 1 1

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