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2SB1427_1

产品描述Power transistor (−20V, −2A)
文件大小49KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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2SB1427_1概述

Power transistor (−20V, −2A)

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2SB1427
Transistors
Power transistor (−20V,
−2A)
2SB1427
Features
1) Low saturation voltage,
V
CE :
Max
.
−0.5V
at I
C
/I
B
=
−1A
/
−50mA.
2) Excellent DC current gain characteristics.
External dimensions
(Unit : mm)
4.0
1.0
2.5
0.5
1.5
0.4
(1)
3.0
0.5
(3)
4.5
1.6
(2)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
1.5
0.4
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
−20
−20
−6
−2
−3
0.5
2
150
−55
~
+150
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W
°C
°C
∗1
∗2
∗1
Single pulse, Pw=10ms
∗2
When mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
Denotes h
FE
2SB1427
MPT3
E
BJ
T100
1000
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current.
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
−20
−20
−6
390
Typ.
90
30
Max.
−0.5
−0.5
−0.5
820
Unit
V
V
V
µA
µA
V
MHz
pF
I
C
= −50µA
I
C
= −1mA
I
E
= −50µA
V
CB
= −16V
0.4
Conditions
V
EB
= −5V
I
C
/I
B
= −1A/−50mA
V
CE
/I
C
= −6V/−0.5A
V
CE
= −10V
, I
E
=
10mA , f= 100MHz
V
CB
= −10V
, I
E
=
0A , f
=
1MHz
1.5
Rev.A
1/2

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