电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SA1759

产品描述High-voltage Switching Transistor (Camera strobes and Telephone, Power supply) (−400V, −0.1A)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小60KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SA1759概述

High-voltage Switching Transistor (Camera strobes and Telephone, Power supply) (−400V, −0.1A)

2SA1759规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)56
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
2SA1759
Transistors
High-voltage Switching Transistor
(Camera strobes and Telephone, Power supply)
(−400V,
−0.1A)
2SA1759
Features
1) High breakdown voltage. (BV
CEO
=
−400V)
2) Low saturation voltage,
typically V
CE (sat)
=
−0.2V
at I
C
/ I
B
=
−20mA
/
−2mA.
3) High switching speed, typically tf = 1µs at Ic =100mA.
4) Wide SOA (safe operating area).
5) Complements the 2SC4505.
Dimensions
(Unit : mm)
MPT3
4.5
1.6
0.5
1.5
(1)
(2)
(3)
1.0
2.5
4.0
0.4
0.4
1.5
0.5
1.5
3.0
0.4
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
−400
−400
−7
−0.1
−0.2
0.5
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W
1
2
2
150
−55
to +150
°C
°C
1 Single pulse, Pw=100ms
2 When mounted on a 40
×
40
×
0.7 mm ceramic board.
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
h
FE
f
T
Cob
t
on
t
stg
t
f
Min.
−400
−400
−7
82
Typ.
−0.2
12
13
0.7
1.8
1
Max.
−10
−10
−0.5
−1.5
180
Unit
V
V
V
µA
µA
V
V
MHz
pF
µs
µs
µs
I
C
= −50µA
I
C
= −1mA
I
E
= −50µA
V
CB
= −400V
V
EB
= −6V
I
C
= −20mA,
I
B
= −2mA
I
C
= −20mA,
I
B
= −2mA
V
CE
= −10V
, I
C
= −10mA
V
CE
= −10V
, I
E
=10mA
, f=5MHz
V
CB
= −10V
, I
E
=0A
, f=1MHz
I
C
= −100mA
R
L
=1.5kΩ
I
B1
= −I
B2
= −10mA
V
CC
~
−150V
Conditions
Rev.B
1/3

2SA1759相似产品对比

2SA1759 2SA1759_1
描述 High-voltage Switching Transistor (Camera strobes and Telephone, Power supply) (−400V, −0.1A) High-voltage Switching Transistor (Camera strobes and Telephone, Power supply) (−400V, −0.1A)
2021年度盘点——今年十大涨价最狠开发板(年度最佳理财产品)
来源:芯板坊 第十名 Nano Pi R2S 185元—>295元 涨幅159% 581115 它,有着极高的人气,在软路由领域大施拳脚,曾经是性价比最高的上网设备之一,但是涨到了300 ......
赵玉田 聊聊、笑笑、闹闹
人生大事,我现在两难选择!
各位大侠: 不知有没有熟悉上海鼎为通讯有限公司的没,我不久前拿到该公司的offer,想对该公司做进步的了解,在这里向各位大侠请教: (一)该公司目前发展怎么样,前景如何? (二)我进该公司的职 ......
xi19871208 嵌入式系统
C2000-28335双电机驱动器 第3坑
今天得空翻一下濒临烂尾的电机板。 先晒个图吧,治一治颈椎病。电机型号是D4215-650KV。 310370 这一次主要还是想确认硬件没问题。之前发现一个bug,drv8302的fault信号是 ......
elvike 电机控制
求助!有木有能给430画板子,先仿真在制作转印的东西么??
紧急求助啊!各位大大,谁知道?...
philipchen61 微控制器 MCU
M3、外设一锤搞定!
刚去拿板子,看见soso美女真是高兴啊! 感谢eeworld! 这里提供我收藏的资料,M3的基本功能都有了,应该足够上手。 心得以后继续上传! 资料大多来自网络!...
heavenji 微控制器 MCU
TF卡部分电路连接问题
tf卡定义如下,有8个引脚 177772 但tf卡插座正常有九个引脚,我买的是自弹式的,这是我找到网上一个tf卡插座的剖面图,虽然方式不同,但插座连接应该是一样的 177774 但看网上关于这部分接 ......
770781327 stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2373  2922  2617  349  2243  48  59  53  8  46 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved