MMBTA44L-AE3-R,MMBTA44L-AE3-R pdf中文资料,MMBTA44L-AE3-R引脚图,MMBTA44L-AE3-R电路-Datasheet-电子工程世界

MMBTA44L-AE3-R: 产品描述HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小75KB，共5页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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MMBTA44L-AE3-R概述

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compli
最大集电极电流 (IC)	0.3 A
集电极-发射极最大电压	400 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz

	MMBTA44L-AE3-R	MMBTA44	MMBTA44-AE3-R	MMBTA45-AE3-R	MMBTA45L-AE3-R	MMBTA45
描述	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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