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DTA144E-AL3-R

产品描述DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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DTA144E-AL3-R概述

DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS)

DTA144E-AL3-R规格参数

参数名称属性值
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码SOT323
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)68
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

DTA144E-AL3-R相似产品对比

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描述 DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS)
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A
最小直流电流增益 (hFE) 68 68 68 68 68 68 68
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 - 3 3 3 3 3
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N N - - -
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 - BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
集电极-发射极最大电压 50 V - 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
端子数量 3 - 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
标称过渡频率 (fT) 250 MHz - 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 - - -
被忽略的电容频率特性
[align=left]当频率很高时,电容不再被当做集总参数看待,寄生参数的影响不可忽略。寄生参数包括Rs,等效串联电阻(ESR)和Ls等效串联电感(ESL)。电容器实际等效电路如图1所示,其中C为静电容,1Rp为泄漏电阻,也称为绝缘电阻,值越大(通常在GΩ级以上),漏电越小,性能也就越可靠。因为Pp通常很大(GΩ级以上),所以在实际应用中可以忽略,Cda和Rda分别为介质吸收电容和介质吸收电阻。...
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