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1N4148_1

产品描述0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小41KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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1N4148_1概述

0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.2 A, 硅, 信号二极管, DO-35

1N4148_1规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述HERMETIC SEALED, 玻璃 PACKAGE-2
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料玻璃
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限0.5000 W
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0040 us
最大平均正向电流0.2000 A

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1N4148 / 1N4150 / 1N4448
Diodes
Switching diode
1N4148 / 1N4150 / 1N4448
∗This
product is available only outside of Japan.
Application
High-speed switching
External dimensions
(Unit : mm)
CATHODE BAND (BLACK)
Features
1) Glass sealed envelope. (GSD)
2) High speed.
3) High reliability.
Type No.
φ
0.5
±
0.1
C
29
±1
3.8
±
0.2
29
±1
A
φ
1.8
±
0.2
Construction
Silicon epitaxial planar
ROHM : GSD
EIAJ :
JEDEC : DO-35
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Type
1N4148
1N4150
1N4448
(1N914B)
V
RM
(V)
100
50
100
V
R
(V)
75
50
75
I
FM
(mA)
450
600
450
I
O
(mA)
150
200
150
I
F
(mA)
200
250
200
I
FSM
1µs
(A)
2
4
2
P
(mW)
500
500
500
Tj
(
°C
)
200
200
200
Topr
(
°C
)
−65
to
+200
−65
to
+200
−65
to
+200
Tstg
(
°C
)
−65
to
+200
−65
to
+200
−65
to
+200
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
V
F
(V)
Type
@
@
@
1mA
BV (V) Min.
@
30mA
I
R
(µA) Max.
@25
°C
V
R
(V)
0.025
5.0
0.025
5.0
0.1
0.025
5.0
20
75
20
75
50
20
75
@
2mA
@
5mA
@
10mA
@
20mA
@
50mA
@
@
@
0.1mA 0.25mA
100mA 200mA 250mA
@
5µA
75
@
100µA
100
t
rr
(ns)
V
R
=6V
@150
°C
V
R
=0
I
F
=10mA
V
R
(V) f=1MHz R
L
=100Ω
20
4
4
C
r
(pF)
1N4531
1.0
1N4148
0.54
1N4150
0.62
0.62
1N4448
0.72
1.0
0.74
0.86
0.92
1.0
1.0
0.66
0.76
0.82
0.87
50.0
75
100
50.0
20
4
4
50
100.0
50
2.5
4
100
50.0
20
4
4
The upper figure is the minimum V
F
and the lower figure is the maximum V
F
value.
1/2

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1N4148_1 1N4148 1N4150 1N4448
描述 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AH
端子数量 2 2 2 2
元件数量 1 1 1 1
表面贴装 Yes NO NO NO
端子形式 GULL WING WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 信号二极管 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 不符合 符合 符合
厂商名称 - ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码 - DO-35 DO-35 DO-35
包装说明 - GLASS, GSD, 2 PIN GLASS, GSD, 2 PIN O-LALF-W2
针数 - 2 2 2
Reach Compliance Code - unknow compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 - HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE
最大正向电压 (VF) - 1 V 1 V 1 V
JEDEC-95代码 - DO-35 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 - O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 - e0 e1 e1
最大非重复峰值正向电流 - 2 A 4 A 2 A
最高工作温度 - 200 °C 200 °C 200 °C
最低工作温度 - -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 - 0.15 A 0.2 A 0.15 A
封装主体材料 - GLASS GLASS GLASS
封装形状 - ROUND ROUND ROUND
封装形式 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED 260 260
最大功率耗散 - 0.5 W 0.5 W 0.5 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - 100 V 50 V 100 V
最大反向电流 - 5 µA 0.1 µA 5 µA
最大反向恢复时间 - 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED 10 10
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