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1N6373TR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小73KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N6373TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon

1N6373TR规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压6 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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Central
TM
Semiconductor Corp.
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824
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