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IDT6116LA20TDB

产品描述2K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, CDIP24
产品类别存储   
文件大小111KB,共11页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT6116LA20TDB概述

2K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, CDIP24

2K × 8 标准存储器, 55 ns, CDIP24

IDT6116LA20TDB规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量24
最小工作温度-55 Cel
最大工作温度125 Cel
额定供电电压5 V
最小供电/工作电压4.5 V
最大供电/工作电压5.5 V
加工封装描述0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24
each_compliYes
状态Active
sub_categorySRAMs
ccess_time_max55 ns
i_o_typeCOMMON
jesd_30_codeR-GDIP-T24
jesd_609_codee0
存储密度16384 bi
内存IC类型STANDARD SRAM
内存宽度8
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
端口数1
位数2048 words
位数2K
操作模式ASYNCHRONOUS
组织2KX8
输出特性3-STATE
输出使能YES
包装材料CERAMIC, GLASS-SEALED
ckage_codeDIP
ckage_equivalence_codeDIP24,.6
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸IN-LINE
串行并行PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_225
wer_supplies__v_5
qualification_statusCOMMERCIAL
screening_levelMIL-STD-883 Class B
seated_height_max4.83 mm
standby_current_max0.0100 Am
standby_voltage_mi4.5 V
最大供电电压0.1000 Am
表面贴装NO
工艺CMOS
温度等级MILITARY
端子涂层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子间距2.54 mm
端子位置DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_20
length32 mm
width15.24 mm
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