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1N5624GP/4G-E3

产品描述DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小293KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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1N5624GP/4G-E3概述

DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

1N5624GP/4G-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1
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