Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA101, PLASTIC, FBGA-101
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | FUJITSU(富士通) |
| 包装说明 | LFBGA, BGA101,12X14,32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 85 ns |
| 其他特性 | SRAM IS CONFIGURED AS 512K X 16/1M X 8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B101 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 12 mm |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 |
| 混合内存类型 | FLASH+SRAM |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 101 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFBGA |
| 封装等效代码 | BGA101,12X14,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.34 mm |
| 最大压摆率 | 0.053 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| MB84VD23280EA-85PBS | MB84VD23280EE-85PBS | PWC1206AS-499RJT1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA101, PLASTIC, FBGA-101 | Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA101, PLASTIC, FBGA-101 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 499ohm, 200V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
| 包装说明 | LFBGA, BGA101,12X14,32 | LFBGA, BGA101,12X14,32 | CHIP |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 其他特性 | SRAM IS CONFIGURED AS 512K X 16/1M X 8 | SRAM IS CONFIGURED AS 512K X 16/1M X 8 | ANTI-SULFUR |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e3 |
| 端子数量 | 101 | 101 | 2 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 155 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C | -25 °C | -55 °C |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | SMT |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | METAL GLAZE/THICK FILM |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 厂商名称 | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | - |
| 最长访问时间 | 85 ns | 85 ns | - |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B101 | R-PBGA-B101 | - |
| 长度 | 12 mm | 12 mm | - |
| 内存密度 | 67108864 bit | 67108864 bit | - |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT | - |
| 内存宽度 | 16 | 16 | - |
| 混合内存类型 | FLASH+SRAM | FLASH+SRAM | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | - |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words | - |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 组织 | 4MX16 | 4MX16 | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | LFBGA | LFBGA | - |
| 封装等效代码 | BGA101,12X14,32 | BGA101,12X14,32 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | 3 V | 3 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 1.34 mm | 1.34 mm | - |
| 最大压摆率 | 0.053 mA | 0.053 mA | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | - |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | - |
| 端子形式 | BALL | BALL | - |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | - |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 11 mm | 11 mm | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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