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SGSF461

产品描述FASTSWITCH HOLLOW-EMITTER NPN TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小254KB,共5页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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SGSF461概述

FASTSWITCH HOLLOW-EMITTER NPN TRANSISTORS

SGSF461规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompli
其他特性HOLLOW-EMITTER
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值125 W
最大功率耗散 (Abs)165 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)2800 ns
最大开启时间(吨)1700 ns
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

SGSF461相似产品对比

SGSF461 SGSF561 SGSIF461
描述 FASTSWITCH HOLLOW-EMITTER NPN TRANSISTORS FASTSWITCH HOLLOW-EMITTER NPN TRANSISTORS FASTSWITCH HOLLOW-EMITTER NPN TRANSISTORS
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compli compli unknow
其他特性 HOLLOW-EMITTER HOLLOW-EMITTER HOLLOW-EMITTER
最大集电极电流 (IC) 15 A 15 A 15 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5 5 5
JEDEC-95代码 TO-218 TO-3 TO-218
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 O-MBFM-P2 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 3
最高工作温度 150 °C 175 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY METAL PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR ROUND RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 125 W 150 W 65 W
最大功率耗散 (Abs) 165 W 140 W 50 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE PIN/PEG THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE BOTTOM SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 2800 ns 2800 ns 2800 ns
最大开启时间(吨) 1700 ns 1700 ns 1700 ns
VCEsat-Max 1.5 V 1.5 V 1.5 V
厂商名称 - ST(意法半导体) ST(意法半导体)
外壳连接 - COLLECTOR ISOLATED

 
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