ZXMN6A08G,ZXMN6A08G pdf中文资料,ZXMN6A08G引脚图,ZXMN6A08G电路-Datasheet-电子工程世界

ZXMN6A08G: 产品描述3.8 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小432KB，共8页; 制造商Zetex Semiconductors; 官网地址http://www.zetex.com/

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ZXMN6A08G概述

3.8 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA

3.8 A, 60 V, 0.08 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-261AA

	ZXMN6A08G	ZXMN6A08GTA	ZXMN6A08
描述	3.8 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA	3.8 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA	3.8 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA
端子数量	4	4	4
表面贴装	Yes	YES	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	双	DUAL	双
元件数量	1	1	1
晶体管应用	开关	SWITCHING	开关
晶体管元件材料	硅	SILICON	硅
最小击穿电压	60 V	-	60 V
加工封装描述	TO-261AA, 4 PIN	-	TO-261AA, 4 PIN
欧盟RoHS规范	Yes	-	Yes
状态	ACTIVE	-	ACTIVE
包装形状	矩形的	-	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
端子涂层	MATTE 锡	-	MATTE 锡
包装材料	塑料/环氧树脂	-	塑料/环氧树脂
结构	单一的 WITH BUILT-IN 二极管	-	单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接	DRAIN	-	DRAIN
通道类型	N沟道	-	N沟道
场效应晶体管技术	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	-	ENHANCEMENT
晶体管类型	通用电源	-	通用电源
最大漏电流	3.8 A	-	3.8 A
最大漏极导通电阻	0.0800 ohm	-	0.0800 ohm
最大漏电流脉冲	20 A	-	20 A

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