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VN10K-TO18: 产品描述0.17 A, 60 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-18; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小15KB，共2页; 制造商SEME-LAB; 官网地址http://www.semelab.co.uk

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VN10K-TO18概述

0.17 A, 60 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-18

0.17 A, 60 V, 5 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-18

参数名称	属性值
最小击穿电压	60 V
端子数量	3
状态	Active
壳体连接	DRAIN
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
drain_current_max__abs___id_	0.1700 A
最大漏电流	0.1700 A
最大漏极导通电阻	5 ohm
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
jedec_95_code	TO-18
jesd_30_code	O-MBCY-W3
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
元件数量	1
操作模式	ENHANCEMENT MODE
最大工作温度	150 Cel
包装材料	METAL
包装形状	ROUND
包装尺寸	CYLINDRICAL
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
larity_channel_type	N-CHANNEL
wer_dissipation_max__abs_	1.5 W
最大漏电流脉冲	1 A
qualification_status	COMMERCIAL
sub_category	FET General Purpose Powe
表面贴装	NO
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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