Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | NanoAmp ( ON Semiconductor ) |
包装说明 | FBGA, BGA48,6X8,30 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
内存密度 | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 |
端子数量 | 48 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA |
封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 2.5/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.00001 A |
最小待机电流 | 1.8 V |
最大压摆率 | 0.016 mA |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.75 mm |
端子位置 | BOTTOM |
Base Number Matches | 1 |
N02L163WN1AB-70I | N02L163WN1AT-70I | |
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描述 | Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | NanoAmp ( ON Semiconductor ) | NanoAmp ( ON Semiconductor ) |
包装说明 | FBGA, BGA48,6X8,30 | TSOP, TSOP44,.46,32 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最长访问时间 | 70 ns | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | R-PDSO-G44 |
内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 | 16 |
端子数量 | 48 | 44 |
字数 | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
组织 | 128KX16 | 128KX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA | TSOP |
封装等效代码 | BGA48,6X8,30 | TSOP44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 2.5/3.3 V | 2.5/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.00001 A | 0.00001 A |
最小待机电流 | 1.8 V | 1.8 V |
最大压摆率 | 0.016 mA | 0.016 mA |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | GULL WING |
端子节距 | 0.75 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | DUAL |
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