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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5818-A
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1N5818-A

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小50KB，共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
标准
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1N5818-A概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

1N5818-A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS, FREE WHEELING, HIGH SURGE CAPABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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SPICE MODELS: 1N5817 1N5818 1N5819
1N5817 - 1N5819
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
·
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for Transient Protection
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Capability
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free
Wheeling, and Polarity Protection Application
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 5)
A
B
A
C
D
Mechanical Data
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Case: DO-41
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Finish
¾
Bright Tin. Plated Leads Solderable
per MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Mounting Position: Any
Ordering Information: See Last Page
Marking: Type Number
Weight: 0.3 grams (approximate)
Dim
A
B
C
D
DO-41 Plastic
Min
25.40
4.06
0.71
2.00
Max
¾
5.21
0.864
2.72
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@ T
L
= 90°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage (Note 2)
Peak Reverse Leakage Current
at Rated DC Blocking Voltage (Note 2)
Typical Total Capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance Junction to Lead (Note 4)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
1.
2.
3.
4.
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
T
R
qJL
R
qJA
T
j,
T
STG
1N5817
20
14
1N5818
30
21
1.0
25
1N5819
40
28
Unit
V
V
A
A
@ I
F
= 1.0A
@ I
F
= 3.0A
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
0.450
0.750
0.550
0.875
1.0
10
110
15
50
-65 to +125
0.60
0.90
V
mA
pF
°C/W
°C
Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
Thermal resistance from junction to lead vertical P.C.B. mounted, 0.375" (9.5mm) lead length with 1.5 x 1.5" (38 x 38mm)
copper pads.
5. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see
EU Directive Annex Notes 5 and 7.
DS23001 Rev. 7 - 2
1 of 2
www.diodes.com
1N5817-1N5819
ã
Diodes Incorporated

1N5818-A相似产品对比

1N5818-A 1N5817-A 1N5819-A
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 DO-41 DO-41 DO-41
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW POWER LOSS, FREE WHEELING, HIGH SURGE CAPABILITY LOW POWER LOSS, FREE WHEELING, HIGH SURGE CAPABILITY LOW POWER LOSS, FREE WHEELING, HIGH SURGE CAPABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 20 V 40 V
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40
Base Number Matches 1 1 1
湿度敏感等级 - 1 1

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