Standard SRAM, 4KX1, 200ns, MOS, CDIP22,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | GTE Microcircuits |
| 包装说明 | DIP, DIP22,.4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T22 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 端子数量 | 22 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP22,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| 4200ACD | 4200BCD | |
|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 4KX1, 200ns, MOS, CDIP22, | Standard SRAM, 4KX1, 150ns, MOS, CDIP22, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | GTE Microcircuits | GTE Microcircuits |
| 包装说明 | DIP, DIP22,.4 | DIP, DIP22,.4 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 200 ns | 150 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T22 | R-XDIP-T22 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 4096 bit | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 22 | 22 |
| 字数 | 4096 words | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4KX1 | 4KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP22,.4 | DIP22,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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