CT-32: 产品描述DIAC DO-35 CASE; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小113KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CT-32概述

DIAC DO-35 CASE

CT-32规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
零件包装代码	DO-35
包装说明	DO-35, 2 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99

文档解析

CT-32 DIAC是Central Semiconductor公司推出的一款专业触发二极管器件，专为电子电路中的精确电压触发应用而设计。该产品采用密封玻璃封装（DO-35 package），确保在严苛环境下具备高可靠性和长期稳定性，适用于工业控制、电源管理和消费电子等领域。其核心功能是提供固定的电压参考点，实现低电流触发，帮助优化电路的启动效率和响应性能。在技术规格方面，CT-32 DIAC的breakover电压（VBO）范围为28V至36V，测试条件为并联22nF电容；breakover电流（IBO）不超过50µA，反向电流（IR）在18V反向电压下不超过10µA。器件支持最大重复峰值电流2.0A，峰值电流（IP）0.3A，上升时间（tr）不超过2.0µs。工作温度范围覆盖-40°C至+125°C，确保宽温环境下的稳定运行，封装尺寸符合DO-35标准（长度约25.4mm，直径范围0.46-0.56mm）。该器件广泛应用于交流相位控制电路、调光器、电机驱动和触发模块中，其低breakover电流特性有助于减少能耗，而快速响应时间提升系统效率。作为标准封装元件，CT-32 DIAC易于集成到PCB设计中，为工程师提供可靠且高性能的触发解决方案。

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DATA SHEET

CT-32

DIAC

DO-35 CASE

DESCRIPTION

The Central Semiconductor CT-32 Diac functions as a trigger diode with a fixed voltage reference and low

breakover current. This device is manufactured in a hermetically sealed glass package to ensure high reliability.

MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)

Repetitive Peak On-state Current

tp=20µs, f=120Hz

Operating and Storage

Junction Temperature

SYMBOL

ITRM

2.0

UNITS

TJ,Tstg

-40 to +125

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)

SYMBOL

VBO*

| VBO1 – VBO2 |

∆V

IBO

TEST CONDITIONS

C=22nF**

VBO & VF @ 10mA

See Figure 2

C=22nF**

VR = 18V

See Figure 2

See Figure 3

MIN

5.0

0.3

2.0

MAX

3.0

UNITS

µA

µs

* Both directions.

**Capacitor connected in parallel with device.

(SEE REVERSE SIDE)

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