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F8NK100Z: 产品描述6.5 A, 1000 V, 1.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小267KB，共13页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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F8NK100Z概述

6.5 A, 1000 V, 1.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

6.5 A, 1000 V, 1.85 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

	F8NK100Z	P8NK100Z
描述	6.5 A, 1000 V, 1.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	6.5 A, 1000 V, 1.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
端子数量	3	3
最小击穿电压	1000 V	1000 V
加工封装描述	TO-220, 3 PIN	TO-220, 3 PIN
无铅	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子涂层	MATTE TIN	MATTE TIN
端子位置	SINGLE	SINGLE
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量	1	1
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
通道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流	6.5 A	6.5 A
额定雪崩能量	320 mJ	320 mJ
最大漏极导通电阻	1.85 ohm	1.85 ohm
最大漏电流脉冲	16 A	16 A

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ