电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5821/70-E3

产品描述DIODE 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小180KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1N5821/70-E3概述

DIODE 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

1N5821/70-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1N5820, 1N5821 & 1N5822
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Rectifier
Major Ratings and Characteristics
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
j
max.
3.0 A
20 V, 30 V, 40 V
80 A
0.475 V, 0.500 V, 0.525 V
125 °C
DO-201AD
Features
Guardring for overvoltage protection
Very small conduction losses
Extremely fast switching
Low forward voltage drop
High forward surge capability
High frequency operation
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Typical Applications
For use in low voltage high frequency inverters, free
wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection
applications
Mechanical Data
Case:
DO-201AD
Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade
Polarity:
Color band denotes the cathode end
Maximum Ratings
T
A
= 25 °C unless otherwise specified
Parameter
*Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Non-repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm)
lead length at T
L
= 95 °C
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Storage temperature range
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
1N5820
20
14
20
24
1N5821
30
21
30
36
3.0
80
- 65 to + 125
1N5822
40
28
40
48
Units
V
V
V
V
A
A
°C
Document Number 88526
13-Jul-05
www.vishay.com
1
使用USB时的外时钟问题
因为项目的需要,外时钟为11.0592M,应当如何设置,让STM32F103的USB可以使用...
ryl_522 stm32/stm8
求解输出过冲限制软启电路原理(附图)
REF为PWM 驱动IC的输出参考电压5V。COMP为输出电压反馈Vfb与REF分压比较的误差放大器输出 求解图中如何限制过冲,如何软启动工作 225691 ...
pengbiao1210 模拟电子
为ADI实验室电路“评估板”提建议,开始颁奖了
活动详情:话说我接触的ADI实验室电路“评估板” 活动链接:https://bbs.eeworld.com.cn/thread-360638-1-1.html 感谢大家抽出时间对ADI实验室电路“评估板”提出宝贵的建议和使用心得,有 ......
EEWORLD社区 ADI 工业技术
混合动力车为何被中国冷落?
上周举办的北京车展无疑是中国汽车圈最受瞩目的盛事,不过在车展揭幕以前,首先碰到的却是一家汽车零件业巨头——美国江森自控公司。该公司宣布在中国推出瓦尔塔品牌的汽车蓄电池,同时更加引起 ......
songbo 汽车电子
MSP430数码管显示的问题
小弟最近在熟悉MSP430F149的时候利用学习板编了一个让八位数码管循环显示0-7数字的时候发现利用下载器下载程序进430之后,段码显示正常,但是位码一直不正常,并且每次给单片机上电的时候数码管 ......
某蓝色外功心法 微控制器 MCU
MC9S08QG8外部晶振电路的问题
外部晶振选用的4.096MHz,电容C1和C2都是20pF,电阻RF是1M。 觉得外部晶振没有起振呢,测晶振两脚的电压,各是0.37V,0.47V。 ICS的工作模式是使用FLL的外部模式FEE。 不知道原因出在哪了? ......
qihaijun 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 240  1015  1872  652  2769  58  36  24  32  49 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved