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80CNQ040A

产品描述40 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小173KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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80CNQ040A概述

40 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

80CNQ040A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.47 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流5800 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流40 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Bulletin PD-21002 01/05
80CNQ...APbF
80CNQ...ASMPbF
SCHOTTKY RECTIFIER
New GenIII D-61 Package
Major Ratings and Characteristics
Characteristics
I
F(AV)
Rectangular
waveform
V
RRM
range
I
FSM
@ tp = 5 µs sine
V
F
T
J
@ 40 Apk, T
J
= 125°C
(per leg)
range
80 Amp
Description/ Features
Units
A
V
A
V
The center tap Schottky rectifier module series has been
optimized for very low forward voltage drop, with moderate
leakage. The proprietary barrier technology allows for reli-
able operation up to 150° C junction temperature. Typical
applications are in switching power supplies, converters,
free-wheeling diodes, and reverse battery protection.
150° C T
J
operation
Center tap module
Very low forward voltage drop
High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
Values
80
35 to 45
5800
0.47
- 55 to 150
°C
New fully transfer-mould low profile, small
footprint, high current package
Through-hole versions are currently available for use in
Lead-Free applications ("PbF" suffix)
Case Styles
80CNQ...APbF
80CNQ...ASMPbF
D61-8
www.irf.com
D61-8-SM
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