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MGF0920A

产品描述L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ]
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共4页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MGF0920A概述

L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ]

MGF0920A规格参数

参数名称属性值
包装说明CHIP CARRIER, R-CQCC-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.5 A
最大漏极电流 (ID)0.4 A
FET 技术JUNCTION
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CQCC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值8.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1
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