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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC5976

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2SC5976: 产品描述Transistor Silicon NPN Epitaxial Type; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小169KB，共5页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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2SC5976概述

Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

2SC5976规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	3 A
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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