110G2G43,110G2G43 pdf中文资料,110G2G43引脚图,110G2G43电路-Datasheet-电子工程世界

110G2G43: 产品描述DIODE 110 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小54KB，共2页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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110G2G43概述

DIODE 110 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

110G2G43规格参数

参数名称	属性值
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
JESD-30 代码	R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流	1760 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-40 °C
最大输出电流	110 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	400 V
最大反向电流	20000 µA
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
Base Number Matches	1

110G2G43相似产品对比

	110G2G43	110Q2G43
描述	DIODE 110 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode	DIODE 110 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C	LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V
JESD-30 代码	R-PUFM-X3	R-PUFM-X3
最大非重复峰值正向电流	1760 A	1760 A
元件数量	2	2
相数	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
最大输出电流	110 A	110 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	400 V	1200 V
最大反向电流	20000 µA	20000 µA
表面贴装	NO	NO
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER
Base Number Matches	1	1

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