电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

NJVMJD31CRLG

产品描述Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小95KB,共10页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

NJVMJD31CRLG在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
NJVMJD31CRLG - - 点击查看 点击购买

NJVMJD31CRLG概述

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR

NJVMJD31CRLG规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
制造商包装代码369C
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
端子面层Tin (Sn)

NJVMJD31CRLG相似产品对比

NJVMJD31CRLG NJVMJD32T4G NJVMJD31T4G
描述 Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
制造商包装代码 369C 369C 369C
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 5 weeks 6 weeks
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美)
针数 - 3 3
最大集电极电流 (IC) - 3 A 3 A
配置 - Single Single
最小直流电流增益 (hFE) - 10 10
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) - 15 W 15 W
表面贴装 - YES YES
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT) - 3 MHz 3 MHz

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 423  621  746  924  1078 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved