电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SC1623

产品描述100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小57KB,共1页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC1623概述

100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 50 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

2SC1623规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流0.1000 A
最大集电极发射极电压50 V
加工封装描述MINIMOLD PACKAGE-3
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料
最大环境功耗0.2000 W
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数90
额定交叉频率250 MHz

文档预览

下载PDF文档
MCC
Features
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
2SC1623
High DC Current Gain: h
FE
=200 TYP.(V
CE
=6.0V, I
C
=1.0mA)
High voltage: V
CEO
=50V
NPN Silicon
Epitaxial Transistors
Unit
V
V
V
mA
mW
O
C
O
C
F
Maximum Ratings
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector power dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
50
60
5.0
100
200
-55 to +150
-55 to +150
SOT-23
A
D
C
B
E
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Collector Cutoff Current
(V
CB
=60Vdc,I
E
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=5.0Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain*
(I
C
=1.0mAdc, V
CE
=6.0Vdc)
Collector Saturation Voltage*
(I
C
=100mAdc, I
B
=10mAdc)
Base Saturation Voltage*
(I
C
=100mAdc,I
B
=10mAdc)
Base Emitter Voltage*
(V
CE
=6.0Vdc, I
C
=1.0mAdc)
Collector Capacitance
(V
CB
=6.0Vdc, I
E
=0, f=1.0MHz)
Gain Bandwidth product
(V
CE
=6.0Vdc, I
E
=10mAdc)
Min
---
---
Typ
---
---
Max
0.1
0.1
Units
G
H
J
OFF CHARACTERISTICS
I
CBO
I
EBO
uAdc
K
uAdc
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
DIMENSIONS
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
ON CHARACTERISTICS
h
F
V
CE(sat)
V
BE(SAT)
V
BE
C
ob
f
T
90
---
---
0.55
---
---
200
0.15
0.86
0.62
3.0
250
600
0.3
1.0
0.65
---
---
---
Vdc
Vdc
Vdc
pF
MHz
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
h
FE
CLASSIFICATION
Marking
L4
L5
h
FE
90-180
135-270
* Pulse Test PW<350us, duty cycle<2%
L6
200-400
L7
300-600
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30

2SC1623相似产品对比

2SC1623 2SC1623L4 2SC1623L5 2SC1623L6 2SC1623L7
描述 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3 3 3 3
晶体管极性 NPN NPN NPN NPN NPN
最大集电极电流 0.1000 A 0.1000 A 0.1000 A 0.1000 A 0.1000 A
最大集电极发射极电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
加工封装描述 MINIMOLD PACKAGE-3 MINIMOLD PACKAGE-3 MINIMOLD PACKAGE-3 MINIMOLD PACKAGE-3 MINIMOLD PACKAGE-3
状态 TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED
包装形状 矩形的 矩形的 矩形的 RECTANGULAR 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子涂层 锡 铅 锡 铅 锡 铅 TIN LEAD 锡 铅
端子位置 DUAL
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的 单一的 SINGLE 单一的
元件数量 1 1 1 1 1
晶体管应用 放大器 放大器 放大器 AMPLIFIER 放大器
晶体管元件材料 SILICON
最大环境功耗 0.2000 W 0.2000 W 0.2000 W 0.2000 W 0.2000 W
晶体管类型 通用小信号 通用小信号 通用小信号 GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL 通用小信号
最小直流放大倍数 90 90 90 200 90
额定交叉频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1313  410  2030  2806  1543  27  9  41  57  32 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved