MOSFET LOW POWER_LEGACY
参数名称 | 属性值 |
Product Attribute | Attribute Value |
制造商 Manufacturer | Infineon(英飞凌) |
产品种类 Product Category | MOSFET |
技术 Technology | Si |
安装风格 Mounting Style | Through Hole |
封装 / 箱体 Package / Case | TO-220-3 |
系列 Packaging | Tube |
高度 Height | 15.65 mm |
长度 Length | 10 mm |
宽度 Width | 4.4 mm |
单位重量 Unit Weight | 0.211644 oz |
IPP60R750E6XKSA1 | IPD60R750E6 | IPP60R750E6 | |
---|---|---|---|
描述 | MOSFET LOW POWER_LEGACY | MOSFET N-Ch 650V 5.7A DPAK-2 CoolMOS E6 | MOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220-3 CoolMOS E6 |
制造商 Manufacturer |
Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) |
产品种类 Product Category |
MOSFET | - | MOSFET |
技术 Technology |
Si | - | Si |
安装风格 Mounting Style |
Through Hole | - | Through Hole |
封装 / 箱体 Package / Case |
TO-220-3 | - | TO-220-3 |
系列 Packaging |
Tube | - | Tube |
高度 Height |
15.65 mm | - | 15.65 mm |
长度 Length |
10 mm | - | 10 mm |
宽度 Width |
4.4 mm | - | 4.4 mm |
单位重量 Unit Weight |
0.211644 oz | - | 0.211644 oz |
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