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IS45S16160G-7BLA1-TR

产品描述Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM, PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-54
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文件大小949KB,共63页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS45S16160G-7BLA1-TR在线购买

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IS45S16160G-7BLA1-TR概述

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM, PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-54

IS45S16160G-7BLA1-TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid8100814262
包装说明TFBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China, Taiwan
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time24 weeks
Samacsys ManufacturerIntegrated Silicon Solution Inc.
Samacsys Modified On2020-04-06 16:22:53
YTEOL3
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)143 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
JESD-609代码e1
长度8 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
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