Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 5 |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 90 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 90 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 3 MHz |
| VCEsat-Max | 3 V |
| Base Number Matches | 1 |
| BD911 | BD912 | |
|---|---|---|
| 描述 | Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose |
| Brand Name | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 零件包装代码 | TO-220AB | TO-220AB |
| 包装说明 | PLASTIC, TO-220, 3 PIN | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 15 A | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V | 100 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 5 | 5 |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | PNP |
| 功耗环境最大值 | 90 W | 90 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 90 W | 90 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 3 MHz | 3 MHz |
| VCEsat-Max | 3 V | 3 V |
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