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BFU530WX: 产品描述RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小302KB，共22页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	NXP(恩智浦)
产品种类 Product Category	RF Bipolar Transistors
RoHS	Details
Transistor Type	Bipolar Wideband
技术 Technology	Si
Transistor Polarity	NPN
DC Collector/Base Gain hfe Min	60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	16 V
Emitter- Base Voltage VEBO	2 V
Continuous Collector Current	10 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT323-3
Collector- Base Voltage VCBO	24 V
DC Current Gain hFE Max	200
Operating Frequency	2 GHz
工作温度范围 Operating Temperature Range	- 40 C to + 150 C
Output Power	10 dBm
类型 Type	Wideband RF Transistor
Gain Bandwidth Product fT	11 GHz
Maximum DC Collector Current	65 mA
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	450 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000
单位重量 Unit Weight	0.000196 oz

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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