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IXGH42N30C3

产品描述IGBT Transistors 42 Amps 300V
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小170KB,共6页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
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IXGH42N30C3概述

IGBT Transistors 42 Amps 300V

IXGH42N30C3规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
IXYS ( Littelfuse )
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247AD-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.54 V
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 V
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
223 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Tube
Continuous Collector Current Ic Max250 A
高度
Height
21.46 mm
长度
Length
16.26 mm
工作温度范围
Operating Temperature Range
- 55 C to + 150 C
宽度
Width
5.3 mm
Continuous Collector Current42 A
Gate-Emitter Leakage Current100 nA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30
单位重量
Unit Weight
0.229281 oz

IXGH42N30C3相似产品对比

IXGH42N30C3
描述 IGBT Transistors 42 Amps 300V
Product Attribute Attribute Value
制造商
Manufacturer
IXYS ( Littelfuse )
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
RoHS Details
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247AD-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole
Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.54 V
Maximum Gate Emitter Voltage +/- 20 V
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
223 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Tube
Continuous Collector Current Ic Max 250 A
高度
Height
21.46 mm
长度
Length
16.26 mm
工作温度范围
Operating Temperature Range
- 55 C to + 150 C
宽度
Width
5.3 mm
Continuous Collector Current 42 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30
单位重量
Unit Weight
0.229281 oz

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